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　　c)阶段3(t2—t3)：在t2时刻，IC=IL，流过续流二极管的电流降低至0，二极管内部载流子开始复合。

　　d)阶段4(t3—t4)：续流二极管内部载流子已经完成复合，续流二极管两端电压开始上升，这导致IGBT两端的电压下降和栅极集电极电容CGC放电。此时IGBT电流Ic形成过冲，过冲的大小与CGC大小有密切关系，CGC越大，IC过冲越大。

　　e)阶段5(t4—t5)：在t4时刻，VGE将调整以适应IC的过冲，在t5时刻，二极管反向恢复完成，VGE将会略微下降，使IGBT可以承受负载电流IL。在此阶段，栅极发射极电压VGE保持恒定，栅极电流流入至栅极集电极电容CGC，集电极发射极两端电压随着CGC放电而下降。

　　f)阶段6(t6—t7)：在t6时刻，VCE下降到使IGBT进入饱和状态，栅极反射极电压增加以维持IL，当VCE衰减稳定后，稳定值即为饱和导通压降VCE(sat)，到此开通过程完全结束。

　　a)阶段1(0—t1)，在t=0时刻，开关S动作，lGBT开始关断，栅极通过RG开始放电，VGE下降。这导致通过沟道注入到基区的电子数量变少，但是由于感性负载的存在，通过抽取N基区中多余的电子和空穴来抑制IC的减小。

　　b)阶段2(tl—t3)在t1时刻，基区内剩余电荷降为0，耗尽区开始形成。在VCE较小时，栅压维持在VGP(VGP的大小与栅极电阻RG成正比)，当VCE超过一定限度时，栅压开始下降。

　　c)阶段3(t3—t6)在t3时刻，VCE达到电路外加电压VDC，耗尽区不再展宽，此时集电极电路IC迅速下降，由于IC的下降在负载电感上感生一个负电压，此时VCE过冲到最大值，感生电压使续流回路导通，负载电流转移到续流回路。IGBT关断完成。

　　在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。图5是IGBT整个开关过程的波形。

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　　最大特性是具有单向导通性，因此被广泛应用于整流电路、开关电路、保护电路等场合。所谓单向导电性，是指在

　　两端外加电压发生变化时，一方面PN结宽窄变化，势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变；另一方面扩散的多子和漂移的

　　同时放在脑里。可以理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。

　　，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。不能使

　　在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。一般情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅

　　工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制

　　，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波

　　的正偏？在p节加正电压，而n节加负电压。即为正偏。正偏是扩散电流大大增加，反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于

　　MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。肖特基

　　，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流

　　有许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过，只要在电压和电流上满足整流的要求，一般的

　　有许多种类，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过，只要在电压和电流上满足整流的要求，一般的

　　的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁

　　，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky

　　），是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的

　　的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压

　　正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压