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谈谈二极管与IGBT少子寿命的影响
来源:ballbet贝博在线 作者:BB贝博ballbet网页登录时间:2024-02-09 15:30:29 浏览:7

  c)阶段3(t2—t3):在t2时刻,IC=IL,流过续流二极管的电流降低至0,二极管内部载流子开始复合。

  d)阶段4(t3—t4):续流二极管内部载流子已经完成复合,续流二极管两端电压开始上升,这导致IGBT两端的电压下降和栅极集电极电容CGC放电。此时IGBT电流Ic形成过冲,过冲的大小与CGC大小有密切关系,CGC越大,IC过冲越大。

  e)阶段5(t4—t5):在t4时刻,VGE将调整以适应IC的过冲,在t5时刻,二极管反向恢复完成,VGE将会略微下降,使IGBT可以承受负载电流IL。在此阶段,栅极发射极电压VGE保持恒定,栅极电流流入至栅极集电极电容CGC,集电极发射极两端电压随着CGC放电而下降。

  f)阶段6(t6—t7):在t6时刻,VCE下降到使IGBT进入饱和状态,栅极反射极电压增加以维持IL,当VCE衰减稳定后,稳定值即为饱和导通压降VCE(sat),到此开通过程完全结束。

  a)阶段1(0—t1),在t=0时刻,开关S动作,lGBT开始关断,栅极通过RG开始放电,VGE下降。这导致通过沟道注入到基区的电子数量变少,但是由于感性负载的存在,通过抽取N基区中多余的电子和空穴来抑制IC的减小。

  b)阶段2(tl—t3)在t1时刻,基区内剩余电荷降为0,耗尽区开始形成。在VCE较小时,栅压维持在VGP(VGP的大小与栅极电阻RG成正比),当VCE超过一定限度时,栅压开始下降。

  c)阶段3(t3—t6)在t3时刻,VCE达到电路外加电压VDC,耗尽区不再展宽,此时集电极电路IC迅速下降,由于IC的下降在负载电感上感生一个负电压,此时VCE过冲到最大值,感生电压使续流回路导通,负载电流转移到续流回路。IGBT关断完成。

  在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。图5是IGBT整个开关过程的波形。

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